93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
: v- M- A. U) A2 w% f( q. p不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
举个例子：
. c8 S- o  B( _% c1 [假若存储器内部存储的数据为：
* o+ |) C4 |5 F9 c7 G, b9 w: `8 n1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
8 {8 w! t, ]8 S% F/ HEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
4 e4 d7 t  u; r- c2 g如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
6 T+ z4 M7 _6 X$ c0 y. j1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
' |+ m4 t6 Z6 [: c存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7
第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
/ `2 u+ @0 a/ S# a第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
: Q/ {. E' {- u$ l3 X/ `8 f* G第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
2 L' F3 o5 Z* ?第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
; c% {; J4 z+ D5 B/ E4 z第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
/ Q4 s- R; d4 C: t第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
1 a: Q% h) ?* O: e& N3 x* C9 Q如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
: L- L% r# z: w# I3 I6 ^  b存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
+ ?8 V2 q7 R+ N4 \  x% uB7 AD B7 AD B7 AD B7 AD
8 w6 w) p6 {6 `( Z4 r6 B
- J- ~( a+ M: I  j第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
( O( U* J1 e* A" b9 [+ j第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD


5 @. q& O+ I% `  C
所以差别在于，数据显示的顺序不同：
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
- b# U3 J( B+ e/ u% uB7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
/ s+ J2 @% f% H! x  f进行一次字节交换就可以了。
. A! T# Y$ U/ U7 I& s0 w

看一看，学习学习。